Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.96€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.12€ |
10 - 24 | 0.86€ | 1.06€ |
25 - 49 | 0.81€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.97€ |
100 - 162 | 0.72€ | 0.89€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.96€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.12€ |
10 - 24 | 0.86€ | 1.06€ |
25 - 49 | 0.81€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.97€ |
100 - 162 | 0.72€ | 0.89€ |
BS107. C (pol.): 85pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 2A. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. Marcação na caixa: BS107. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 23:25.
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