BST82

BST82. C (pol.): 25pF. Custo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca muito rápida. Id(im): 0.8A. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: compatível com nível lógico. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 14:25.