Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BSS138

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2 - 2 0.33€ 0.41€
3 - 4 0.31€ 0.38€
5 - 9 0.29€ 0.36€
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Conjunto de 10

BSS138. C (pol.): 27pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.88A. DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 14:25.

Produtos equivalentes :

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BSS138-7-F

BSS138-7-F

C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3...
BSS138-7-F
C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. DI (T=25°C): 0.2A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. RoHS: sim. Peso: 0.008g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
BSS138-7-F
C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. DI (T=25°C): 0.2A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. RoHS: sim. Peso: 0.008g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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