BU2520DF-PHI

BU2520DF-PHI. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 13. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 25A. Nota: Tensão de isolamento 2500V. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Função: Comutação de alta tensão e alta velocidade. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 20:25.