Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BU4525AX

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BU4525AX. Material semicondutor: silício. Função: CTV/Monitor. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: CTV-HA (isolado). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 19:25.

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Custo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Corrente do coletor: 14A. Ic(pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Corrente do coletor: 14A. Ic(pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafado J6812 . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim
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Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafado J6812 . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim
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