Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BU808DFX

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BU808DFX. Resistor BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 20:25.

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Resistor BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Função: hFE 60...230, caixa de plástico isolada. Spec info: tempo de queda 0,8us. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Resistor BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Função: hFE 60...230, caixa de plástico isolada. Spec info: tempo de queda 0,8us. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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