Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC. Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Resistor BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. Função: hFE 60...230, caixa de plástico isolada. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Spec info: tempo de queda 0,8us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Pmc. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 22:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça:...
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Resistor BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V
BU808DFX
Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Resistor BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V
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