BUL45GD2G

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	2.18€	2.68€
5 - 9	2.07€	2.55€
10 - 24	1.96€	2.41€
25 - 49	1.86€	2.29€
50 - 51	1.70€	2.09€

Quantidade	U.P
1 - 4	2.18€	2.68€
5 - 9	2.07€	2.55€
10 - 24	1.96€	2.41€
25 - 49	1.86€	2.29€
50 - 51	1.70€	2.09€

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Quantidade em estoque : 51

Conjunto de 1

BUL45GD2G. Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Transistor de potência NPN bipolar de alta velocidade e alto ganho. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 22. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 12V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.

Documentação técnica