CSD17313Q2T

CSD17313Q2T. C (pol.): 260pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 57A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1uA. Número de terminais: 6. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 17W. On-resistência Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 4.2 ns. Td(ligado): 2.8 ns. Tecnologia: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Carcaça: WSON6. Habitação (conforme ficha técnica): Caixa de plástico de 2 mm × 2 mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.9V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.