Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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D44H11

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D44H11. Custo): 130pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) D45H11. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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