Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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BUZ91A-INF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.

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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1
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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1
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