Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A-INF
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A-INF. Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 32A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tecnologia: V-MOS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1
Transistor de canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1
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