D45H11

D45H11. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Equivalentes: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: par D44H11. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.