Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, TO-220, TO-220, 60V, 10A - D44H8

Transistor NPN, TO-220, TO-220, 60V, 10A - D44H8
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1 - 4 1.61€ 1.98€
5 - 9 1.53€ 1.88€
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Transistor NPN, TO-220, TO-220, 60V, 10A - D44H8. Transistor NPN, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Corrente do coletor: 10A. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. BE diodo: NINCS. Custo): 90pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementar (par) D45H8. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Custo): 130pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) D45H11. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
D44H11
Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Custo): 130pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) D45H11. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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