Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

D44H8

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D44H8. RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H8. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.

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Custo): 130pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) D45H11. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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