Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V - FDD770N15A

Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V - FDD770N15A. Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. DI (T=100°C): 11.4A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 61m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 575pF. Custo): 64pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Nota: High performance trench technology. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 56.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15.8 ns. Td(ligado): 10.3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: resistência RDS(on) extremamente baixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 09:25.