FDD770N15A

FDD770N15A. C (pol.): 575pF. Custo): 64pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 11.4A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 1uA. Nota: High performance trench technology. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 56.8W. On-resistência Rds On: 61m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15.8 ns. Td(ligado): 10.3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: resistência RDS(on) extremamente baixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.