FDN358P

FDN358P. C (pol.): 182pF. Custo): 56pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Single P-Channel, Logic Level. Id(im): 5A. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 358. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.