FDP18N50

FDP18N50. C (pol.): 2200pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 72A. DI (T=100°C): 10.8A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: N-Channel MOSFET (UniFET). Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 17:25.