FDC642P

FDC642P. C (pol.): 700pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 642. Marcação na caixa: 642. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Função: Interruptor de carga, proteção da bateria. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.