FDN338P

FDN338P. C (pol.): 451pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Gerenciamento de bateria. Id(im): 5A. DI (T=25°C): 1.6A. Idss (máx.): 0.1uA. IDss (min): n/a. Nota: serigrafia/código SMD 338. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.088 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.