FDD4141

FDD4141. C (pol.): 2085pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ‘Tecnologia de valas de alto desempenho’. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 58A. Idss (máx.): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Marcação na caixa: FDD4141. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. On-resistência Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: resistência RDS(on) extremamente baixa. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.