FDN5618P

FDN5618P. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 618. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 430pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.