FDD6296

FDD6296. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 0.0088 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.