Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

FJAF6810D

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5 - 9 3.12€ 3.84€
10 - 24 2.96€ 3.64€
25 - 49 2.79€ 3.43€
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FJAF6810D. Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Display colorido Hor Defl de alto V (com diodo amortecedor) . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafado J6810. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.

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Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por ...
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Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Carcaça: TO-3PF (SOT399). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
KSC5386TU
Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Carcaça: TO-3PF (SOT399). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
Conjunto de 1
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