FGB20N60SF

FGB20N60SF. C (pol.): 940pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: FGB20N60SF. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 12 ns. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2-PAK. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 2. Função: inversor solar, UPS, máquina de solda, PFC. Nota: Transistor MOS IGBT de canal N. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.