FQB27P06TM

FQB27P06TM. C (pol.): 1100pF. Custo): 510pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 102A. DI (T=100°C): 19.1A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.