FQP12N60C

FQP12N60C. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP12N60C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 70 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 280 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 225W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.