FQP85N06

FQP85N06. C (pol.): 3170pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 300A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 175 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET® MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.