FQP3P50

FQP3P50. C (pol.): 510pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10.8A. DI (T=100°C): 1.71A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. On-resistência Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.