FQP17P10

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	1.46€	1.80€
5 - 9	1.39€	1.71€
10 - 24	1.31€	1.61€
25 - 49	1.24€	1.53€
50 - 99	1.21€	1.49€
100 - 249	1.18€	1.45€
250+	1.12€	1.38€

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Conjunto de 1

FQP17P10. C (pol.): 850pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 66A. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 16.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.

Documentação técnica