FQPF10N60C

FQPF10N60C. C (pol.): 1570pF. Custo): 166pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 38A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 144 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 44nC, Crss baixo 18pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.