Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

FQP50N06

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FQP50N06. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP50N06. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.

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C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 70us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 240A. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P65NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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