Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQD19N10L

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FQD19N10L. C (pol.): 670pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 62.4A. DI (T=100°C): 9.8A. DI (T=25°C): 15.6A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Equivalentes: FQD19N10LTM. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.074 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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C (pol.): 800pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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