Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQP13N50

FQP13N50
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FQP13N50. C (pol.): 1800pF. Custo): 245pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 7.9A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Velocidade de comutação rápida. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.

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C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 52A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 195W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Spec info: Carga de porta baixa (típico 43nC). Proteção GS: NINCS
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