FQP13N50C

FQP13N50C. C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 52A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 195W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Spec info: Carga de porta baixa (típico 43nC). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.