FQD7N10L

FQD7N10L. C (pol.): 220pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 5.8A. DI (T=25°C): 23.2A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FQD7N10L. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.258 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. DI (T=100°C): 3.67A. Função: Carga baixa do portão. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.