Diodos padrão e retificadores

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. Corrente direta (AV): 12.7A. IFSM: 150A. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-2. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms

Cj: 45pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 8A. RM (máx.): 600uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 88A. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (máx, 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 46.4k Ohms. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: Retificação rápida e diodo de comutação. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Cj: 50pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Mesa Rectifiers. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 5uA. RM (min): 0.1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220B. VRRM: 200V. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms

Cj: 85pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de avalanche controlados com recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 70A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Cj: 75pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 70A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: Retificador de avalanche controlado com recuperação rápida e suave. Spec info: IFSM--70Ap

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Nota: GI-S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. VRRM: 1200V. Nota: 11 mm, 6 lados. Nota: GI-L

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 300V. Nota: GI

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Circuito driver de LED 20mA/45V. Corrente direta (AV): 20mA. RoHS: sim. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Nota: driver de LED de corrente constante. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade por caixa: 1. Spec info: para uma dissipação de 1W sem refrigeração, máx, 25V

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Circuito driver de LED 40mA/45V. Corrente direta (AV): 40mA. RoHS: sim. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Temperatura operacional: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Nota: driver de LED de corrente constante. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade por caixa: 1. Spec info: para uma dissipação de 1W sem refrigeração, máx, 25V

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 150A. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Nota: Uf 0.98V. Nota: Ifsm--65App. Nota: Diodo de recuperação ultrarrápida

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente direta (AV): 5A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Função: diodo de potência. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 275A. Rosca da bucha: M5. Peso: 6g. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-4. Habitação (conforme ficha técnica): DO-4P. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Spec info: 275App/10ms

Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Função: diodo de potência. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 275A. Rosca da bucha: M5. Peso: 6g. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-4. Habitação (conforme ficha técnica): DO-4P. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: 275App/10ms

Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Função: diodo de potência. Corrente direta (AV): 40A. IFSM: 600A. Rosca da bucha: M6. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-5. Habitação (conforme ficha técnica): DO-5P. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Spec info: 600App/10ms