Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 500V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms. Tr: 50 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Material semicondutor: silício. Nota: peça metálica conectada ao cátodo. RM (máx.): 5mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.8V

Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.25A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: Retificadores Fast Silicon Mesa. Nota: 30App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 20A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Carcaça: SOD-57. VRRM: 200V. Corrente Média Retificada por Diodo: 2A. Tipo de diodo: diodo retificador. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.07V / 3A. Tipo de montagem: THT. Tempo de recuperação reversa (máx.): 25ns. Série: BYV27

VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V

Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Sinterglass Avalanche Rápido . Data de produção: 201412. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: BYV28-200. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V

Corrente direta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.93V

Corrente direta (AV): 9A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 0.9V

VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Nota: cátodo comum . Marcação na caixa: BYV32-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32-200-E3/45. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100A t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.01V. Tensão direta Vf (min): 0.74V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Marcação na caixa: BYV34-500. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.87V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores Fast Silicon Mesa. Data de produção: 2013/40. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

Corrente direta (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-2. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.83V

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. RM (máx.): 600uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.85V