Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Sinterglass Avalanche Rápido . Data de produção: 201412. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: BYV28-200. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Corrente direta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.93V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Corrente direta (AV): 9A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Marcação na caixa: BYV34-500. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores Fast Silicon Mesa. Data de produção: 2013/40. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Corrente direta (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-2. VRRM: 200V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.83V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. RM (máx.): 600uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 88A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (máx, 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (máx.): 46.4k Ohms. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: Retificação rápida e diodo de comutação. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Mesa Rectifiers. RM (máx.): 5uA. RM (min): 0.1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220B. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 70A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de avalanche controlados com recuperação rápida e suave . RM (máx.): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 70A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: Retificador de avalanche controlado com recuperação rápida e suave. Spec info: IFSM--70Ap

Corrente direta (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Material semicondutor: silício. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Corrente direta (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 10A. VRRM: 1200V. Material semicondutor: silício. Nota: 11 mm, 6 lados. Nota: GI-L

Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 300V. Material semicondutor: silício. Nota: GI

Corrente direta (AV): 20mA. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Circuito driver de LED 20mA/45V. RoHS: sim. Temperatura operacional: -50...+150°C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Nota: driver de LED de corrente constante. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade por caixa: 1. Spec info: para uma dissipação de 1W sem refrigeração, máx, 25V

Corrente direta (AV): 40mA. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Circuito driver de LED 40mA/45V. RoHS: sim. Temperatura operacional: -50...+150°C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Nota: driver de LED de corrente constante. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade por caixa: 1. Spec info: para uma dissipação de 1W sem refrigeração, máx, 25V