Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Nota: 4.2x4.3mm. RM (máx.): 140uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

VRRM: 1300V. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifms 70Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sim. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminais: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.5x5.6mm ). VRRM: 800V. Cj: 65pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 150uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 200Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 140uA. RM (min): 3uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V

Corrente direta (AV): 4A. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57. VRRM: 1200V. Material semicondutor: silício. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 12A. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: 48...82kHz. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (caixa de plástico)

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 10uA. RM (min): uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50°C...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 10uA. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Silicon Rectifiers. RM (máx.): 20uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 20uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.7V

Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 20Ap f=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 2.3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+215°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+215°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. Marcação na caixa: BYS109. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Peso: 0.064g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.4V