Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Silicon Rectifiers. RM (máx.): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. VRRM: 200V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador de recuperação rápida e suave . RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Corrente direta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Carcaça: SOD-81. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Corrente direta (AV): 2.3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms

Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+215°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+215°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. Marcação na caixa: BYS109. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Peso: 0.064g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 500V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Tr: 50 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5mA. RM (min): 100uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. Número de terminais: 2. Nota: peça metálica conectada ao cátodo. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Número de terminais: 2

Corrente direta (AV): 1.25A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: Retificadores Fast Silicon Mesa. Nota: 30App/10ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 20A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS