Diodos padrão e retificadores

Diâmetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+215°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diâmetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente direta (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+215°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sim. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 30A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. Marcação na caixa: BYS109. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Peso: 0.064g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 60A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Tr: 50 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 500V. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 200A. RM (máx.): 5mA. RM (min): 100uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Nota: peça metálica conectada ao cátodo. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.25A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Nota: Retificadores Fast Silicon Mesa. Nota: 30App/10ms

Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. VRRM: 400V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Cj: 220pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 20A. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS

Cj: 190pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Sinterglass Avalanche Rápido . Data de produção: 201412. Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: BYV28-200. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Cj: 125pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Corrente direta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.93V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Corrente direta (AV): 9A. IFSM: 100A. RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC ( SOD59 ). Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 500V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Marcação na caixa: BYV34-500. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB, SOT78. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. VRRM: 500V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Cj: 15pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores Fast Silicon Mesa. Data de produção: 2013/40. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode