Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diâmetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminais: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. Marcação na caixa: BYS109. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Peso: 0.064g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.4V

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 500V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms. Tr: 50 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Material semicondutor: silício. Nota: peça metálica conectada ao cátodo. RM (máx.): 5mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.8V

Corrente direta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: Retificação rápida e diodo de comutação. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 200 ns. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V

Corrente direta (AV): 1.25A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: Retificadores Fast Silicon Mesa. Nota: 30App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação e diodo de comutação muito rápidos. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 20A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.07V. Tensão direta Vf (min): 0.88V

Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Sinterglass Avalanche Rápido . Data de produção: 201412. RM (máx.): 100uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: BYV28-200. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V

Corrente direta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.93V

Corrente direta (AV): 9A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 0.9V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 125A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST. Nota: cátodo comum . Marcação na caixa: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.72V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Marcação na caixa: BYV34-500. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.87V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores Fast Silicon Mesa. Data de produção: 2013/40. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos retificadores, ultrarrápidos, robustos. RM (máx.): 1mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.78V

Corrente direta (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-2. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.83V