Diodos padrão e retificadores

Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Função: diodo de potência. Corrente direta (AV): 40A. IFSM: 600A. Rosca da bucha: M6. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: DO-5. Habitação (conforme ficha técnica): DO-5P. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Spec info: 600App/10ms

Carcaça: DO-205. Habitação (conforme ficha técnica): DO-205AC. Nota: DO-8P invertido, rosca M12 . Nota: Ânodo de carcaça rosqueada, (alta corrente). Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares

Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . Corrente direta (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Temperatura: +125°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. VRRM: 600V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Recovery Rectifiers. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 255A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 20uA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220L. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V. VRRM: 800V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A)

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 350A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V. VRRM: 800V. Número de terminais: 3. Nota: cátodo (1), ânodo (2), não conectado (3). Nota: pacote TO220 isolado. Quantidade por caixa: 1. Função: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Spec info: 350Ap

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.2A. Marcação na caixa: UMD3. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-323. VRRM: 20V. Nota: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/código CMS UMD3

Cj: 1.8pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. Corrente direta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. RM (min): 5uA. Dimensões: 3x12mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): 3x12mm. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. VRRM: 12000V

Cj: 1.8pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. Corrente direta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. RM (min): 5uA. Dimensões: 3x12mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): 3x12mm. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. VRRM: 16000V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Nota: Ultrahigh-Definition Display Applications. Nota: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type

Cj: 90pF. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 180A. Marcação na caixa: 20LC30. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle)

Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20us. Material semicondutor: silício. Função: DIODE-RECTIFIER. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: DGP30L. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 1500V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 100Ap

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: diodo duplo de silício

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): T0-220AB. VRRM: 1500V. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: diodo duplo de silício

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 11A. IFSM: 75A. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.6V. Tensão direta Vf (min): 2.2A. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 100A. IFSM: 600A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1.5mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 357W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial (FRED) . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.55V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.17V. VRRM: 600V. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2x91A. IFSM: 900A. RM (máx.): 15mA. RM (min): 1.5mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Prazo de entrega: KB. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.87V. Tensão direta Vf (min): 1.61V. VRRM: 1200V. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Nota: diodo epitaxial, alta corrente. Nota: 900App/10ms, 45°C. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 357W. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 37A. IFSM: 375A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 37A. IFSM: 375A. Pd (dissipação de energia, máx.): 138W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Tensão direta Vf (min): 2V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 28A. IFSM: 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 138W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.55V. Tensão direta Vf (min): 2.2V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 52A. IFSM: 500A. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.55V. Tensão direta Vf (min): 2V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Cj: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Dobro: sim. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 50uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial (FRED) . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 90A. RM (máx.): 0.5mA. RM (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.75V. Tensão direta Vf (min): 1.79V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C