Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 255A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220L. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Recovery Rectifiers. RM (máx.): 500uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V

Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 350A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Nota: cátodo (1), ânodo (2), não conectado (3). Nota: pacote TO220 isolado. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: 350Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V

Corrente direta (AV): 0.2A. Carcaça: SOT-323. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-323. VRRM: 20V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/código CMS UMD3. Marcação na caixa: UMD3. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente direta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. RM (min): 5uA. Dimensões: 3x12mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Corrente direta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Dimensões: 3x12mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Classe de inflamabilidade: UL94V-0. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 40V

Corrente direta (AV): 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: Ultrahigh-Definition Display Applications. Nota: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 180A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 30 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Marcação na caixa: 20LC30. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20us. Material semicondutor: silício. Função: DIODE-RECTIFIER. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: DGP30L. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: diodo duplo de silício. Nota: DAMPER +MODULATION. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): T0-220AB. VRRM: 1500V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: diodo duplo de silício. Nota: DAMPER +MODULATION. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 11A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. RoHS: sim. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.6V. Tensão direta Vf (min): 2.2A

Corrente direta (AV): 100A. IFSM: 600A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1.5mA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 357W. RoHS: sim. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial (FRED) . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.55V

Corrente direta (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo duplo de recuperação rápida. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.17V

Corrente direta (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Nota: diodo epitaxial, alta corrente. Nota: 900App/10ms, 45°C. RM (máx.): 15mA. RM (min): 1.5mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Prazo de entrega: KB. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.87V. Tensão direta Vf (min): 1.61V

Corrente direta (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo duplo de recuperação rápida. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 357W. RoHS: sim. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: parafuso. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.89V

Corrente direta (AV): 37A. IFSM: 375A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.4V

Corrente direta (AV): 37A. IFSM: 375A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 138W. RoHS: sim. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Tensão direta Vf (min): 2V

Corrente direta (AV): 28A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 138W. RoHS: sim. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.55V. Tensão direta Vf (min): 2.2V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.3V. Tensão direta Vf (min): 1.8V

Corrente direta (AV): 52A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 189W. RoHS: sim. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.55V. Tensão direta Vf (min): 2V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Dobro: sim. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. RM (máx.): 100uA. RM (min): 50uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial (FRED) . Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.4V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 90A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . RM (máx.): 0.5mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. RoHS: sim. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.75V. Tensão direta Vf (min): 1.79V

Corrente direta (AV): 70A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 650uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.66V. Tensão direta Vf (min): 1.74V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo recuperação suave . RM (máx.): 2.5mA. RM (min): 650uA. Configuração: caixa isolada, sem perfuração. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.66V. Tensão direta Vf (min): 1.74V