Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 88A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (máx, 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.8V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Nota: Retificação rápida e diodo de comutação. RM (máx.): 46.4k Ohms. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Mesa Rectifiers. RM (máx.): 5uA. RM (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.9V

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220B. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 70A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de avalanche controlados com recuperação rápida e suave . RM (máx.): 150uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--70App / 10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.25V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 70A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificador de avalanche controlado com recuperação rápida e suave. RM (máx.): 150uA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--70Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.25V

Corrente direta (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Material semicondutor: silício. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Corrente direta (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 10A. VRRM: 1200V. Material semicondutor: silício. Nota: 11 mm, 6 lados. Nota: GI-L. Nota: M5 Thread

Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 300V. Material semicondutor: silício. Nota: GI

Corrente direta (AV): 20mA. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Circuito driver de LED 20mA/45V. Nota: driver de LED de corrente constante. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: para uma dissipação de 1W sem refrigeração, máx, 25V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C

Corrente direta (AV): 40mA. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Circuito driver de LED 40mA/45V. Nota: driver de LED de corrente constante. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: para uma dissipação de 1W sem refrigeração, máx, 25V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Nota: Uf 0.98V. Nota: Diodo de recuperação ultrarrápida. Nota: Ifsm--65App

Corrente direta (AV): 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 275A. Carcaça: DO-4. Habitação (conforme ficha técnica): DO-4P. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Função: diodo de potência. Rosca da bucha: M5. Spec info: 275App/10ms. Peso: 6g. Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 275A. Carcaça: DO-4. Habitação (conforme ficha técnica): DO-4P. VRRM: 600V. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Função: diodo de potência. Rosca da bucha: M5. Spec info: 275App/10ms. Peso: 6g. Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 40A. IFSM: 600A. Carcaça: DO-5. Habitação (conforme ficha técnica): DO-5P. VRRM: 800V. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Função: diodo de potência. Rosca da bucha: M6. Spec info: 600App/10ms. Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 40A. IFSM: 600A. Carcaça: DO-5. Habitação (conforme ficha técnica): DO-5P. VRRM: 800V. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Função: diodo de potência. Rosca da bucha: M6. Spec info: 600App/10ms. Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -25...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1V

Carcaça: DO-205. Habitação (conforme ficha técnica): DO-205AC. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Nota: DO-8P invertido, rosca M12 . Nota: Ânodo de carcaça rosqueada, (alta corrente)

Corrente direta (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 255A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220L. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Recovery Rectifiers. RM (máx.): 500uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V

Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 350A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Nota: cátodo (1), ânodo (2), não conectado (3). Nota: pacote TO220 isolado. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: 350Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.6V. Tensão direta Vf (min): 1.6V