Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: GL

Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 150V. Material semicondutor: silício. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: cátodo comum . Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador duplo ultrarrápido, cátodo comum. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador duplo ultrarrápido, cátodo comum. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 1200V. Material semicondutor: silício. Nota: alta tensão e alta confiabilidade. Nota: Comutação de alta velocidade. Nota: Ifsm--30App

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 60A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35ms. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast with soft recovery. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Tensão direta baixa. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 32 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.15V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 50A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 34 ns. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.2V. Tensão direta Vf (min): 2V

Corrente direta (AV): 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 90 ns. Material semicondutor: silício. Função: Amortecedor + Diodo de Modulação . Nota: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Nota: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C

Corrente direta (AV): 50A. IFSM: 280A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: SMPS, inversor solar, UPS, circuitos de comutação de energia. RM (máx.): 400uA. RM (min): 200uA. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: sim. Spec info: Ifsm--280App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.45V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 40V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Nota: Diodo Schottky. Nota: diodo duplo de silício. Nota: Ifsm--60A/50Hz. Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG CHASS.KS3A D802. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: SAMSUNG. Nota: -RECTIFIER

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: 0402-000491. Nota: YG911S2. Nota: -RECTIFIER. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2.5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG 0402-000431. Nota: diodo retificador. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3P. Nota: diodo duplo de silício. Nota: DAMPER +MODULATION. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: diodo duplo de silício. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--50A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: Retificadores de recuperação rápida . Nota: 30App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 30App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V

Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 60App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 60App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V