Diodos padrão e retificadores

Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo duplo de recuperação rápida. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 100A. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Nota: 30Ap/8.3ms. Habitação (conforme ficha técnica): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 200V. Nota: GL

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 100V. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. VRRM: 150V. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms

Cj: 175pF. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador duplo ultrarrápido, cátodo comum. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 300A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Cj: 145pF. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador duplo ultrarrápido, cátodo comum. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 300A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 1200V. Nota: Ifsm--30App. Nota: alta tensão e alta confiabilidade

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35ms. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast with soft recovery. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 60A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-2L. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tensão direta baixa

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 32 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-2L. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.15V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 34 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 50A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-2L. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.2V. Tensão direta Vf (min): 2V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Diodo Trr (mín.): 90 ns. Material semicondutor: silício. Função: Amortecedor + Diodo de Modulação . Corrente direta (AV): 6A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3. Temperatura operacional: -65...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Nota: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 50A. IFSM: 280A. RM (máx.): 400uA. RM (min): 200uA. Diodo Schottky?: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2LD, CASE 340CL. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.45V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Função: SMPS, inversor solar, UPS, circuitos de comutação de energia. Spec info: Ifsm--280App

Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60A. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--60A/50Hz. Unidade de condicionamento: 50. Nota: diodo duplo de silício

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 4A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 600V. Número de terminais: 2

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Nota: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Nota: SAMSUNG. Nota: -RECTIFIER

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: 0402-000491. Nota: YG911S2. Nota: -RECTIFIER

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2.5A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Nota: SAMSUNG 0402-000431. Nota: diodo retificador

Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3P. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: diodo duplo de silício

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--50A. Nota: diodo duplo de silício

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Nota: Retificadores de recuperação rápida . Nota: 30App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V

Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms

Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 60App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 400V