Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: SAMSUNG. Nota: -RECTIFIER

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: 0402-000491. Nota: YG911S2. Nota: -RECTIFIER

Corrente direta (AV): 2.5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: SAMSUNG 0402-000431. Nota: diodo retificador

Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3P. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: diodo duplo de silício

Corrente direta (AV): 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--50A. Nota: diodo duplo de silício

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: Retificadores de recuperação rápida . Nota: 30App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de recuperação rápida . RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Spec info: 30App/8.3ms

Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 60App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Comutação de alta velocidade . Nota: 60App/8.3ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 30App/10ms

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Nota: 100App/10ms. Número de terminais: 2. Temperatura operacional: -50...+150°C

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Diodo Trr (mín.): 500 sn. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Recovery Rectifier. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Função: Retificador de junção passivada de vidro de alta tensão . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 3V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Equivalentes: HER103G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2