Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 30App/10ms

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. Nota: 100App/10ms. Número de terminais: 2. Temperatura operacional: -50...+150°C

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Diodo Trr (mín.): 500 sn. Material semicondutor: silício. Função: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador rápido de silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Recovery Rectifier. Número de terminais: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 2us. Material semicondutor: silício. Função: Retificador de junção passivada de vidro de alta tensão . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--15App/8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3V. Tensão direta Vf (min): 3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Equivalentes: HER103G. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta eficiência. Equivalentes: HER105G. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta eficiência. Equivalentes: HER108G. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: Pico de 150A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Nota: diodo retificador de alta eficiência. RM (máx.): 150uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -60...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Nota: diodo retificador de alta eficiência. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Nota: diodo retificador de alta eficiência. RM (máx.): 150uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Peso: 0.4g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Nota: diodo retificador de alta eficiência. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. RM (máx.): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 75 ns. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm--60Aps. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 60A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 18 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marcação na caixa: HFA08TB60. Equivalentes: 39.2k Ohms. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Spec info: IFRM 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.4V

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 50A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 400uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: HFA15TB60. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V