Diodos padrão e retificadores

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps

Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 50A. RM (máx.): 400uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: HFA15TB60. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Cj: 55pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 225A. RM (máx.): 600uA. RM (min): 1.5uA. Equivalentes: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 19 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 150A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 6A. Nota: D30. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. VRRM: 800V

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD80C (MiniMELF). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.15A. Ism [A]: 2A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 10mA. Carcaça (padrão JEDEC): 0.5W

Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de comutação de alta velocidade. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.62V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Nota: SAMSUNG. VRRM: 600V

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Nota: diodo duplo de silício

Carcaça: SOD123. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): 0.43V / 0.5A. Tipo de montagem: SMD. VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.5A. Corrente de fuga reversa: 130uA / 30V. Série de produtos: MBRB. MSL: 1

RoHS: sim. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A-2P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. VRRM: 100V

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. VRRM: 100V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 10A. Nota: Diodo retificador Schottky. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (máx.): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.99V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B1060. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: diodo para comutação de fonte de alimentação, duplo, Schottky. Corrente direta (AV): 7.5A. IFSM: 75A. RM (máx.): 15mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms)

Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1mA..50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 7.5A. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Nota: 15A/150App. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V

Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.63V. Tensão direta Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Nota: Retificadores de Barreira . RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Cj: 400pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Corrente direta (AV): 10A. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: 20A/150App. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 150V

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 75A. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.05mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220-3. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 200V. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total)