Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
Semicondutores Diodos
Diodos padrão e retificadores

Diodos padrão e retificadores

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HFA25TB60

HFA25TB60

Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 225A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
HFA25TB60
Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 225A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 600uA. RM (min): 1.5uA. Equivalentes: VS-HFA25TB60-M3. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--225Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
HFA25TB60
Corrente direta (AV): 25A. IFSM: 225A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 600uA. RM (min): 1.5uA. Equivalentes: VS-HFA25TB60-M3. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--225Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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HFA30PA60C

HFA30PA60C

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
HFA30PA60C
Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 19 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
HFA30PA60C
Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 19 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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KY195

KY195

Corrente direta (AV): 6A. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota...
KY195
Corrente direta (AV): 6A. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: D30. Nota: M4 Thread. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
KY195
Corrente direta (AV): 6A. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: D30. Nota: M4 Thread. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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LL4148

LL4148

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Carcaça: ...
LL4148
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD80C (MiniMELF). Carcaça (padrão JEDEC): 0.5W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.15A. Ism [A]: 2A. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 10mA. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C
LL4148
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD80C (MiniMELF). Carcaça (padrão JEDEC): 0.5W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.15A. Ism [A]: 2A. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 10mA. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C
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LL4148-TSC

LL4148-TSC

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): S...
LL4148-TSC
Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de comutação de alta velocidade. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.62V
LL4148-TSC
Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificadores de comutação de alta velocidade. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 0.62V
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M100J

M100J

Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG...
M100J
Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG
M100J
Corrente direta (AV): 1A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Nota: SAMSUNG
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MA157A

MA157A

Corrente direta (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: diodo du...
MA157A
Corrente direta (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: diodo duplo de silício
MA157A
Corrente direta (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: diodo duplo de silício
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MBR0530T1G

MBR0530T1G

Carcaça: SOD123. VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.5A. Tipo de diodo: escocês. Co...
MBR0530T1G
Carcaça: SOD123. VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.5A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): 0.43V / 0.5A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 130uA / 30V. Série de produtos: MBRB. MSL: 1
MBR0530T1G
Carcaça: SOD123. VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.5A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): 0.43V / 0.5A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 130uA / 30V. Série de produtos: MBRB. MSL: 1
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MBR10100

MBR10100

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR10100
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A-2P. VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.71V
MBR10100
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A-2P. VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.71V
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MBR10100CT

MBR10100CT

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica)...
MBR10100CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V
MBR10100CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V
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MBR10150CT

MBR10150CT

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica)...
MBR10150CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V
MBR10150CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.008mA. RM (min): 8uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.78V
Conjunto de 1
1.98€ IVA incl.
(1.61€ sem IVA)
1.98€
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MBR10200

MBR10200

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2P. VRR...
MBR10200
Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Material semicondutor: Sb. Nota: Diodo retificador Schottky. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
MBR10200
Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Material semicondutor: Sb. Nota: Diodo retificador Schottky. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
Conjunto de 1
0.76€ IVA incl.
(0.62€ sem IVA)
0.76€
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MBR10200CT

MBR10200CT

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica)...
MBR10200CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.99V. Tensão direta Vf (min): 0.87V
MBR10200CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.99V. Tensão direta Vf (min): 0.87V
Conjunto de 1
2.19€ IVA incl.
(1.78€ sem IVA)
2.19€
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MBR1060

MBR1060

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR1060
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B1060. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.7V
MBR1060
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B1060. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.7V
Conjunto de 1
1.11€ IVA incl.
(0.90€ sem IVA)
1.11€
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MBR1545CT

MBR1545CT

Corrente direta (AV): 7.5A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR1545CT
Corrente direta (AV): 7.5A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: diodo para comutação de fonte de alimentação, duplo, Schottky. RM (máx.): 15mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.57V
MBR1545CT
Corrente direta (AV): 7.5A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: diodo para comutação de fonte de alimentação, duplo, Schottky. RM (máx.): 15mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.57V
Conjunto de 1
1.21€ IVA incl.
(0.98€ sem IVA)
1.21€
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MBR1560CT

MBR1560CT

Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM:...
MBR1560CT
Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Nota: 15A/150App. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1mA..50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
MBR1560CT
Corrente direta (AV): 7.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Nota: diodo para comutação de fonte de alimentação. Nota: 15A/150App. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1mA..50mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
Conjunto de 1
1.09€ IVA incl.
(0.89€ sem IVA)
1.09€
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MBR1645CT

MBR1645CT

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR1645CT
Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.63V. Tensão direta Vf (min): 0.57V
MBR1645CT
Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.63V. Tensão direta Vf (min): 0.57V
Conjunto de 1
1.28€ IVA incl.
(1.04€ sem IVA)
1.28€
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MBR1660

MBR1660

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR1660
Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Nota: Retificadores de Barreira . RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms
MBR1660
Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Material semicondutor: Sb. Nota: Retificadores de Barreira . RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms
Conjunto de 1
1.56€ IVA incl.
(1.27€ sem IVA)
1.56€
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MBR1660CT

MBR1660CT

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR1660CT
Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V
MBR1660CT
Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Material semicondutor: Sb. Função: Retificadores de Barreira . Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.65V
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MBR20100CT-C0

MBR20100CT-C0

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR20100CT-C0
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V
MBR20100CT-C0
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V
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MBR20100CT-ONS

MBR20100CT-ONS

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...
MBR20100CT-ONS
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 20mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V
MBR20100CT-ONS
Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 20mA. RM (min): 0.1mA. Marcação na caixa: B20100G. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.75V
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MBR20150CT

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Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: ...
MBR20150CT
Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: 20A/150App. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
MBR20150CT
Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 150V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: 20A/150App. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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MBR20200CT

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Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220...
MBR20200CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220-3. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.05mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão direta Vf (min): 0.9V
MBR20200CT
Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 75A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220-3. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. RM (máx.): 6mA. RM (min): 0.05mA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão direta Vf (min): 0.9V
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Corrente direta (AV): 10A/diode. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. ...
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Corrente direta (AV): 10A/diode. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: total 20A, IFSM 150App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
MBR2045CT
Corrente direta (AV): 10A/diode. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Função: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: total 20A, IFSM 150App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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MBR2060CT

Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: ...
MBR2060CT
Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: 20A/150App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
MBR2060CT
Corrente direta (AV): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Nota: Diodo retificador de barreira dupla Schottky. Nota: 20A/150App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB
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