Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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HER108

HER108
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1 - 1 1.26€ 1.55€
2 - 2 1.20€ 1.48€
3 - 4 1.14€ 1.40€
5 - 9 1.11€ 1.37€
10 - 24 1.07€ 1.32€
25 - 49 0.96€ 1.18€
50 - 172 0.91€ 1.12€
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1 - 1 1.26€ 1.55€
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HER108. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta eficiência. Equivalentes: HER108G. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Produto original do fabricante Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 13:25.

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UF4007
Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Ism [A]: 33A. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
UF4007
Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Ism [A]: 33A. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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