Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYV26E

BYV26E
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BYV26E. Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Recuperação rápida e suave . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 Glass. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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