Diodos padrão e retificadores

Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafia/código SMD D6. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Marcação na caixa: D6. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. Tensão limite Vf (máx.): 1V. VRRM: 100V

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 300A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Nota: diâmetro 8 mm x 7,5 mm . Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Equivalentes: MUR1100ERLG. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 1000. Spec info: IFSM

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. RM (máx.): 5uA. RM (min): 2uA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). Temperatura operacional: -65...+175°C. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: IFSM--35App

Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 110A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Tensão direta Vf (min): 1.9V. VRRM: 1200V. Número de terminais: 2. Função: Diodo de recuperação ultrarrápida. Nota: diodo ultra-rápido. Spec info: Ifsm 110Ap

Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 150A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. VRRM: 600V. Número de terminais: 2

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: IFSM--35App

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: Ifsm 100Ap

Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Spec info: Ifsm 100Ap

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: cátodo comum . Spec info: Ifsm 100Ap

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. Marcação na caixa: MUR4100E. Equivalentes: MUR4100ERLG. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.53V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 125A. Marcação na caixa: MUR420. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Tensão limite Vf (máx.): 0.89V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: MUR460. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.28V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. RM (máx.): 900uA. RM (min): 25uA. Marcação na caixa: MUR480E. Equivalentes: MUR480ERLG. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.53V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 550A. Marcação na caixa: MUR 6060. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Nota: Diodo de recuperação ultrarrápida

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcação na caixa: U8100E. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcação na caixa: U820. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MUR860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Spec info: diodo retificador ultra rápido

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: U860. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: diodo retificador ultra rápido

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcação na caixa: U880E. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: diodo retificador ultrarrápido

Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: U1D. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1D

Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: U1J. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1J

Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U3D

Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3J