Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalentes: MUR1100ERLG. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. RM (máx.): 5uA. RM (min): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de recuperação ultrarrápida. Nota: diodo ultra-rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.4V. Tensão direta Vf (min): 1.9V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--35App. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. RM (máx.): 250uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: ânodo comum . Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast SMPS. Nota: cátodo comum . RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcação na caixa: MUR4100E. Equivalentes: MUR4100ERLG. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.53V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcação na caixa: MUR420. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.89V. Tensão direta Vf (min): 0.71V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (máx.): 10uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: MUR460. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.28V. Tensão direta Vf (min): 1.05V

Corrente direta (AV): 4A. IFSM: 70A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (máx.): 900uA. RM (min): 25uA. Marcação na caixa: MUR480E. Equivalentes: MUR480ERLG. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.53V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 550A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Diodo de recuperação ultrarrápida. Marcação na caixa: MUR 6060. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Nota: diodo retificador ultrarrápido. Marcação na caixa: U8100E. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Nota: diodo retificador ultrarrápido. Marcação na caixa: U820. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.975V. Tensão direta Vf (min): 0.895V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador para comutação de fonte de alimentação. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: MUR860. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: diodo retificador ultra rápido. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. RM (máx.): 500uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: U860. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: diodo retificador ultra rápido. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.2V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75us. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de potência, Para comutação de fontes de alimentação. Nota: diodo retificador ultrarrápido. Marcação na caixa: U880E. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.8V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: sim. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U1D. RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: U1D. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U1J. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: U1J. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3D. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3J. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U3J. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S, R6. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.88V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P1000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.9V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 500A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P2000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.87V