Diodos padrão e retificadores

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2A. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. Nota: GI, S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: 125A/PP. VRRM: 400V. Nota: GI, S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: 125App/8.3ms. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Nota: GI, S

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 60A. Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1500V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Corrente direta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Nota: Samsung--0402-000266. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V

Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast Diode. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 200A. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap

Cj: 60pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast with Soft Recovery. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 30A. Nota: Diodo hiper rápido. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.1V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast with Soft Recovery. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Marcação na caixa: RHR30120. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V

Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

RoHS: sim. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35us. Material semicondutor: silício. Função: Diodo hiper rápido. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 16A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão limite Vf (máx.): 2.1V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Passo: 8x6.5mm. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Nota: Diodo retificador de recuperação ultrarrápida

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 100V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 500A. RM (máx.): 2mA. RM (min): 250uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Função: Diodo Ultrarrápido

RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Recovery Diode. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 325A. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: pinout--1

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.48V. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: Ifsm 150A/10ms. Unidade de condicionamento: 50. Nota: diodo duplo de silício

Cj: 12pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1.8us. Material semicondutor: silício. Função: diodos retificadores de uso geral. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Nota: impressão de tela/código SMD 1M. Nota: caixa 4,6x2,7mm. Marcação na caixa: 1 M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 200V

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 2A. Ism [A]: 55A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..100uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V