Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

Categorias de Produtos :

Armários para eletrónicos (1199)Áudio (307)Automação (19)Cabos (1774)Componentes passivos (13752)Computer (56)Conectores (5627)Eletrónica de lazer (528)Energia (1312)Ferramentas (1362)Interruptores (920)Optoelectrônica (1670)Peças mecânicas (446)Proteção elétrica (1127)Relés (841)Reparando (940)Resfriamento (695)Semicondutores (14045)Transformadores (540)

Categorias de Produtos :

Armários para eletrónicos

Componentes passivos

Eletrónica de lazer

Optoelectrônica

Peças mecânicas

Proteção elétrica

Transformadores

Semicondutores Diodos

Diodos padrão e retificadores

Diodos padrão e retificadores

30 v (10)

4 v (2)

15V (1)

20V (4)

25V (1)

30V (1)

35V (4)

40V (33)

45V (14)

50V (9)

60V (23)

70V (4)

75V (4)

80V (4)

85V (2)

90V (5)

100V (42)

125V (1)

150V (7)

170V (1)

200V (66)

250V (4)

300V (11)

350V (2)

400V (32)

500V (5)

530V (1)

600V (73)

650V (1)

800V (23)

1000V (50)

1200V (24)

1300V (1)

1500V (18)

1600V (6)

2000V (2)

4000V (1)

12000V (2)

16000V (1)

10A/diode (2)

120Ap / 8.3ms (1)

150Ap / 8.3ms (1)

155A / 50Hz, 180A / 60Hz (1)

2 X 3A (1)

2x100A (1)

2x123A (1)

2x91A (1)

2x96A (1)

400A (2x200A) (1)

40A (2x20A) (1)

50A / 10mS (1)

800A (tp=5us), 70A (tp=10ms) (1)

80A (tp=10ms) (1)

Pico de 150A (1)

n/a (1)

0.1A (5)

0.115A (2)

0.15A (1)

0.2A (13)

0.25A (5)

0.3A (2)

3.3mA (1)

0.36A (1)

0.5A (7)

0.6A (7)

0.75A (2)

0.8A (3)

1A (76)

1.2A (3)

1.25A (1)

1.3A (3)

1.4A (1)

1.5A (16)

15mA (3)

20mA (4)

2A (40)

2.3A (1)

2.5A (2)

30mA (2)

3A (71)

3.1A (1)

3.5A (2)

40mA (1)

4A (10)

50mA (1)

5A (39)

6A (11)

7.5A (5)

8A (26)

9A (1)

100mA (1)

10A (26)

11A (1)

120mA (1)

12A (5)

12.7A (1)

130mA (2)

150mA (3)

15A (19)

15.9A (1)

16A (6)

19A (1)

200mA (9)

20A (19)

215mA (1)

250mA (2)

25A (5)

27A (3)

28A (1)

300mA (2)

30A (44)

350mA (1)

35A (6)

37A (2)

400mA (1)

40A (18)

45A (2)

500mA (7)

50A (38)

52A (1)

55A (1)

600mA (3)

60A (16)

62A (9)

625mA (1)

70A (13)

750mA (1)

75A (14)

80A (24)

88A (1)

90A (3)

100A (32)

110A (9)

125A (8)

130A (1)

150A (26)

155A (1)

165A (2)

180A (2)

200A (12)

220A (1)

225A (1)

250A (6)

255A (1)

265A (1)

270A (1)

275A (4)

280A (1)

300A (12)

310A (1)

325A (1)

330A (2)

340A (1)

350A (1)

375A (2)

400A (6)

500A (8)

550A (1)

570A (9)

600A (4)

800A (2)

850A (1)

880A (1)

900A (1)

1200A (7)

1500A (1)

1600A (1)

2500A (1)

60.4k Ohms (6)

063 (1)

318–08, SOT–23 (TO–236AB) (1)

3x12mm (2)

425AB SMA (3.8x1.9mm) (1)

7.3x22mm (1)

A-405 (5.2x2.7mm) (1)

CASE 59-10 (7.3x3.4mm) (1)

D-PAK (1)

D-PAK ( TO-252 ) (4)

D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05 (1)

D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03 (3)

D2A ( 4.0x7.2mm ) (1)

D2PAK ( TO-263 ) (5)

DO-15 (30)

DO-15 ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-15 ( 3.2x6.7mm ) (4)

DO-15 ( 3.2x7.2mm ) (5)

DO-15 ( 3.3x6.4mm ) (3)

DO-15 ( 3.5x7.5mm ) (3)

DO-15 ( 6.0x3.4mm ) (1)

DO-15 ( 6.3x3.0mm ) (2)

DO-15 ( 7.6x3.6mm ) (3)

DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm (1)

DO-201 (48)

DO-201 ( 4.4x7.5mm ) (1)

DO-201 ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201 ( 6.5x8.0mm ) (1)

DO-201 ( 7.5x5.4mm ) (6)

DO-201 ( 9.5x5.0mm ) (3)

DO-201AD (11)

DO-201AD ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201AD ( 5.3x9.0mm ) (4)

DO-201AD ( 5.6x10mm ) (1)

DO-201AD ( 7.5x5.4mm ) (2)

DO-201AD ( 8.8x5.1mm ) (3)

DO-201AD ( 9.0x5.3mm ) (2)

DO-201AD ( 9.1x5.2mm ) (1)

DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ) (1)

DO-201AD ( 9.2x5.3mm ) (1)

DO-201AD ( 9.5x5.3mm ) (1)

DO-201AD 8x6mm (1)

DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ) (1)

DO-203AB (13)

DO-203AB ( DO-5 ) (15)

DO-204 (8)

DO-204AC (3)

DO-204AL ( 2.7x5.2mm ) (3)

DO-204AL ( 5.2x2.7mm ) (1)

DO-204AP (1)

DO-205 (3)

DO-205AC (1)

DO-213 (4)

DO-213AB ( 2.5x5mm ) (4)

DO-214 (48)

DO-214AA (1)

DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm (1)

DO-214AB ( SMC ) (2)

DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AC (1)

DO-214AC ( SMA ) (1)

DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm (3)

DO-247 (2)

DO-27 (14)

DO-27 ( 5.2x8.0mm ) (1)

DO-27 ( 6.5x8.0mm ) (3)

DO-27 ( 9.2x5.2mm ) (4)

DO-27 ( 9x5.3mm ) (1)

DO-27 (5.4x7.5mm) (1)

DO-27 (5.6 x 9.5mm) (1)

DO-27 (9.5x5.6mm) (1)

DO-27( 5.5x9.5mm ) (2)

DO-34 (1)

DO-34 ( 1.6x3.04 ) (1)

DO-34 ( 3.4x1.6mm ) (1)

DO-34 ( SOD68 ) (3)

DO-35 (19)

DO-35 ( 1.6x3.9mm ) (1)

DO-35 ( SOD27 ) (19)

DO-4 (2)

DO-41 (46)

DO-41 ( 2.5x4.8mm ) (2)

DO-41 ( 2.6x4.8mm ) (1)

DO-41 ( 2.6x4.9mm ) (1)

DO-41 ( 2.7x5.0mm ) (1)

DO-41 ( 5.0x2.7mm ) (1)

DO-41 ( 5.2X2.7mm ) (6)

DO-41 ( 5.2x2.7 ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) (11)

DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ) (1)

DO-4P (2)

DO-5 (2)

DO-5P (2)

DO41 (2)

Dpak-3 (1)

ISOPLUS247 (1)

ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)

ISOTOP (1)

ISOTOP ( SOT227B ) (7)

ISOWATT TO-220AC (1)

P-600 (1)

P600 ( 8x7.5mm ) (1)

POWERTAB (3)

R-6 (8)

R-6 ( 8.9x8.8mm ) (1)

R-6 ( 8x7.5mm ) (3)

R-6 ( 9.1x7.2mm ) (1)

R-6 ( 9x9mm ) (1)

R-6 (8.8x7mm) (1)

R-6 (9.1x9.1mm) (1)

SMA (1)

SMA (4.6x2.8 mm) (1)

SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ) (2)

SMA DO214AC (3)

SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ) (1)

SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ) (7)

SMB (1)

SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ) (2)

SMB / DO214AA (1)

SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ) (1)

SMB DO-214AA (1)

SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ) (2)

SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA (2)

SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ) (2)

SMC (8,1x6,2x2,6mm) (1)

SMC / DO214AB (1)

SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ) (5)

SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ) (2)

SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ) (1)

SMC DO214AB (1)

SMD 0805 (1)

SOD-123 (5)

SOD-323 (8)

SOD-323 ( 1.7x1.25mm ) (1)

SOD-323F (2)

SOD-523 (2)

SOD-57 (1)

SOD-57 ( Glass ) (11)

SOD-57 Glass (8)

SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ) (1)

SOD-57 Glass passivated (2)

SOD-64 ( Glass ) (13)

SOD-64 Glass (12)

SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ) (1)

SOD-80 (1)

SOD-80 ( 3.4x1.6mm ) (1)

SOD-80 ( 3.5x1.5mm ) (1)

SOD-80C (1)

SOD-81 (6)

SOD123 (2)

SOD123 ( 2.85x1.7mm ) (1)

SOD123W SMA (2.9x1.9mm) (2)

SOT-143 (1)

SOT-143B (1)

SOT-23 (3)

SOT-23 ( TO-236 ) (16)

SOT-23 ( TO236 ) (10)

SOT-23-3 (1)

SOT-23L (1)

SOT-323 (3)

SOT323 (1)

SOT78 (TO-220AB) (1)

Soldagem PCB (SMD) (5)

T0-220AB (1)

T0-220FPAB (1)

TO-220 (85)

TO-220 CASE 221A (1)

TO-220-2 (1)

TO-220-2 (TO-220AC) (1)

TO-220/2 (2)

TO-220A-2P (1)

TO-220AB (17)

TO-220AB ( SOT78 ) (4)

TO-220AB, SOT78 (1)

TO-220AC (33)

TO-220AC ( SOD59 ) (1)

TO-220AC-2 (4)

TO-220AC-2P (1)

TO-220AC-3P (4)

TO-220B (1)

TO-220F (10)

TO-220F-2L (3)

TO-220F-3 (1)

TO-220FN (1)

TO-220FP (21)

TO-220FP-3 (1)

TO-220FPAC (2)

TO-220L (1)

TO-240 (1)

TO-240AA (1)

TO-247 (28)

TO-247-2 (1)

TO-247-2LD, CASE 340CL (1)

TO-247AC (3)

TO-247AC 3L (2)

TO-247AD (15)

TO-252 (1)

TO-252A ( Dpak ) (1)

TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (2)

TO-263 (2)

TO-263 ( D2PAK ) (1)

TO-3FP (1)

TO-3P (5)

TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (6)

TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) (1)

TO220-3 (1)

TOP-3P (1)

TS-1 ( 2.5x3.3mm ) (1)

soldagem PCB (1)

12.7k Ohms (4)

507 produtos disponíveis

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RH2F

RH2F

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201...

RH2F

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

RH2F

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 60A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Conjunto de 1

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(3.72€ sem IVA)

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RH4F

RH4F

Corrente direta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-2...

RH4F

Corrente direta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Nota: Samsung--0402-000266. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

RH4F

Corrente direta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4us. Material semicondutor: silício. Função: amortecedor . Nota: Samsung--0402-000266. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.5V

Conjunto de 1

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RHRP15120

RHRP15120

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...

RHRP15120

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast Diode. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--200Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

RHRP15120

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast Diode. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--200Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

Conjunto de 1

3.85€ IVA incl.
(3.13€ sem IVA)

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RHRP1560

RHRP1560

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 30A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...

RHRP1560

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 30A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 60pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast with Soft Recovery. Nota: Diodo hiper rápido. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.1V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

RHRP1560

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 30A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 60pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast with Soft Recovery. Nota: Diodo hiper rápido. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2.1V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Conjunto de 1

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(2.15€ sem IVA)

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RHRP30120

RHRP30120

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...

RHRP30120

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast with Soft Recovery. Marcação na caixa: RHR30120. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

RHRP30120

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Material semicondutor: silício. Função: Hyperfast with Soft Recovery. Marcação na caixa: RHR30120. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

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RHRP8120

RHRP8120

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-22...

RHRP8120

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

RHRP8120

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo hiper rápido. RM (máx.): 500uA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 3.2V. Tensão direta Vf (min): 2.6V

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RHRP860

RHRP860

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 16A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220...

RHRP860

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 16A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sim. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35us. Material semicondutor: silício. Função: Diodo hiper rápido. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2.1V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

RHRP860

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 16A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sim. Cj: 25pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35us. Material semicondutor: silício. Função: Diodo hiper rápido. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2.1V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

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RL4Z

RL4Z

Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27...

RL4Z

Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo retificador de recuperação ultrarrápida. Passo: 8x6.5mm. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

RL4Z

Corrente direta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Nota: Diodo retificador de recuperação ultrarrápida. Passo: 8x6.5mm. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

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RS2A

RS2A

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA ...

RS2A

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RS2A

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

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RS2B

RS2B

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA ...

RS2B

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RS2B

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

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RS2D

RS2D

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA ...

RS2D

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RS2D

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

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RS2G

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Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA ...

RS2G

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RS2G

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

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RS2J

RS2J

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA ...

RS2J

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RS2J

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

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RS2K

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Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA ...

RS2K

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RS2K

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

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RS2M

RS2M

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA ...

RS2M

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RS2M

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de retificação rápida, Montagem em superfície. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Conjunto de 1

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RURG80100

RURG80100

Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...

RURG80100

Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Ultrarrápido. RM (máx.): 2mA. RM (min): 250uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

RURG80100

Corrente direta (AV): 80A. IFSM: 500A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo Ultrarrápido. RM (máx.): 2mA. RM (min): 250uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

Conjunto de 1

9.69€ IVA incl.
(7.88€ sem IVA)

9.69€

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RURP3060

RURP3060

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 325A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...

RURP3060

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 325A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Recovery Diode. Número de terminais: 2. Spec info: pinout--1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

RURP3060

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 325A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Recovery Diode. Número de terminais: 2. Spec info: pinout--1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Conjunto de 1

3.16€ IVA incl.
(2.57€ sem IVA)

3.16€

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S16C40C

S16C40C

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-2...

S16C40C

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: diodo duplo de silício. Nota: Ifsm 150A/10ms. Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.48V

S16C40C

Corrente direta (AV): 16A. IFSM: 150A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: diodo duplo de silício. Nota: Ifsm 150A/10ms. Número de terminais: 3. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.48V

Conjunto de 1

0.84€ IVA incl.
(0.68€ sem IVA)

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Quantidade em estoque : 6435

S1M-FAI

S1M-FAI

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO...

S1M-FAI

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1.8us. Material semicondutor: silício. Função: diodos retificadores de uso geral. Nota: impressão de tela/código SMD 1M. Nota: caixa 4,6x2,7mm. Marcação na caixa: 1 M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

S1M-FAI

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1.8us. Material semicondutor: silício. Função: diodos retificadores de uso geral. Nota: impressão de tela/código SMD 1M. Nota: caixa 4,6x2,7mm. Marcação na caixa: 1 M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Conjunto de 10

1.32€ IVA incl.
(1.07€ sem IVA)

1.32€

Quantidade em estoque : 20

S2L20U

S2L20U

Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício...

S2L20U

Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício

S2L20U

Corrente direta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício

Conjunto de 1

3.86€ IVA incl.
(3.14€ sem IVA)

3.86€

Quantidade em estoque : 5829

S2M

S2M

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldag...

S2M

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 2A. Ism [A]: 55A. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 2A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..100uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

S2M

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 2A. Ism [A]: 55A. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 2A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..100uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Conjunto de 5

0.62€ IVA incl.
(0.50€ sem IVA)

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S399D

S399D

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 ...

S399D

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

S399D

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: SOD-64 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Material semicondutor: silício. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

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S3M

S3M

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldag...

S3M

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 110A. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 3A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..200uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

S3M

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador montado em superfície (SMD). Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 110A. Tensão direta Vfmax (V): 1.15V @ 3A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..200uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

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S3MB-13-F

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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB D...

S3MB-13-F

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.15V. Tensão direta Vf (min): 1.15V

S3MB-13-F

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador. RM (min): 10uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.15V. Tensão direta Vf (min): 1.15V

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S5M

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Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 180A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC D...

S5M

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 180A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação da rede elétrica de 50/60 Hz. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: S5M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

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Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 180A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Função: Retificação da rede elétrica de 50/60 Hz. RM (máx.): 250uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: S5M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

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