Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.05€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.85€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.69€ |
100 - 249 | 0.55€ | 0.68€ |
250 - 884 | 0.48€ | 0.59€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.05€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.85€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.69€ |
100 - 249 | 0.55€ | 0.68€ |
250 - 884 | 0.48€ | 0.59€ |
P1000M. Cj: 70pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P1000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.
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