Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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P1000M. Cj: 70pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: P1000M. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Cj: 120pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 n...
10A10
Cj: 120pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 28.7k Ohms. Equivalentes: P1000M, 10A07-TP. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms
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Cj: 120pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (máx.): 100uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 28.7k Ohms. Equivalentes: P1000M, 10A07-TP. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms
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