Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 150V. Cj: 150pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 50mA. RM (min): 8uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.92V. Tensão direta Vf (min): 0.92V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 125Ap

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 200V. Cj: 120pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 0.5mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.9V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 40V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 125A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 50V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.67V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Corrente direta [A]: 2x10A. Ism [A]: 110A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 300uA..7mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.85V @ 10A

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 275A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: SMPS DIODE. Nota: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Unidade de condicionamento: 30. Nota: diodo duplo de silício. Spec info: Diodo retificador Schottky

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: P-600. Habitação (conforme ficha técnica): P600 ( 8x7.5mm ). VRRM: 40V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.3mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.42V. Tensão direta Vf (min): 0.25V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 25pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: SUPER FAST RECTIFIER. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Número de terminais: 2. Nota: GI, S. Quantidade por caixa: 1

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 30pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: SUPER FAST RECTIFIER. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: SUPER FAST RECTIFIER. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 300V. Material semicondutor: silício. Nota: SUPER FAST RECTIFIER. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 150A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky de silício. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: miniMELF. Carcaça (padrão JEDEC): SOD-80. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 1A. Ism [A]: 10A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.5mA..5mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.5V @ 1A

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMB. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AA. Corrente direta [A]: 2A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Ism [A]: 55A. Tensão direta Vfmax (V): 0,85V a 2A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 500uA..10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 40V. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 10mA. Marcação na caixa: SK24A. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código SMD SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 60V. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 10mA. Marcação na caixa: SK26A. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código SMD SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMC. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 100A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 500uA..20mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.75V @ 3A

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 100V. Cj: 200pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 1mA. RM (min): 100uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Número de terminais: 2. Outro nome: SK510C. Marcação na caixa: SK510. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-123FL. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 1A. Ism [A]: 22A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 200uA..2mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.55V @ 1A

Corrente direta (AV): 165A. IFSM: 2500A. Carcaça: DO-205. Habitação (conforme ficha técnica): DO-205. VRRM: 1200V. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Material semicondutor: silício. Função: retificador de potência para todos os fins. Montagem/instalação: Fixação roscada. Temperatura operacional: -40...+180°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V. Nota: Rosca M12, ilhó de 8,2 mm. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: Ânodo de carcaça rosqueada, (alta corrente)

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 10A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. RoHS: sim. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-213AB. Material semicondutor: silício. Função: Versão 1N4007 SMD. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 10Ap

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: MELF. Carcaça (padrão JEDEC): DO-213AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 1A. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1mA..10mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.9V @ 3A

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Material semicondutor: Sb. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Material semicondutor: Sb. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Ifsm--200Ap