Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Cj: 152pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Nota: serigrafia/código SMD 34L. RM (máx.): 60mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: 34L. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. RM (máx.): 10mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

Corrente direta (AV): 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-123. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.5A. Ism [A]: 5.5A. Tensão direta Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 50uA..4mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMA. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AC. Corrente direta [A]: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Ism [A]: 75A. Tensão direta Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 6mA...15mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Corrente direta (AV): 10A/diode. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Nota: diodo duplo de silício. Nota: Diodo retificador Schottky. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.65V. Tensão direta Vf (min): 0.72V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Nota: IFSM--250Ap. RM (máx.): 2mA. RM (min): 4.5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: tensão de isolamento 2000VDC, capacitância 45pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.56V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Nota: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 6mA. RM (min): 4.5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.56V

Corrente direta (AV): 2A. Corrente direta (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Função: Energia de alta tensão Schottky . RM (máx.): 5mA. RM (min): 1uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.92V. Tensão direta Vf (min): 0.65V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: diodo retificador Schottky de potência, queda de baixa tensão. Nota: serigrafia/código SMD GD4. RM (máx.): 80mA. RM (min): 220uA. Marcação na caixa: GD4. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 0.39V. Tensão direta Vf (min): 0.25V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 220A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 11mA. RM (min): 200uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Nota: Diodo retificador Schottky. RM (máx.): 6mA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Tensão direta Vf (min): 0.64V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 75A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Função: Energia de alta tensão Schottky . RM (máx.): 4.5mA. RM (min): 3.5uA. Marcação na caixa: S5H100. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: 75App/10ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.57V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 40V. Material semicondutor: Sb. Função: Retificador Schottky de potência. RM (máx.): 0.75mA. RM (min): 0.2mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: 150App / 10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.38V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 270A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 170V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo retificador Schottky. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: IFSM--270App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.97V

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Nota: Energia de alta tensão Schottky . Nota: 250App/10ms. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110App/10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.25V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 55A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra-fast diode. RM (máx.): 0.75mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.25V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 45A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo ultrarrápido, alta tensão. RM (máx.): 0.3mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Spec info: IFSM--45Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2.2V. Tensão direta Vf (min): 1.35V

Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 80A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marcação na caixa: STTH1210D. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V

Corrente direta (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP. VRRM: 300V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo retificador duplo de alta tensão ultrarrápido. RM (máx.): 2mA. RM (min): 200uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 0.8V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (máx.): 300uA. RM (min): 30uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (máx.): 300uA. RM (min): 30uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (máx.): 300uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V