Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Material semicondutor: Sb. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: 50App/8.3ms. Nota: Vf 0.55V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Material semicondutor: Sb. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: 50App/8.3ms. Nota: Vf 0.70V

Corrente direta (AV): 2A. Corrente direta (RMS): 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 10mA. RM (min): 1mA. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.70V. Número de terminais: 2. Spec info: 50App / 8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 2mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): ns. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 2mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente direta (AV): 5A. Corrente direta (RMS): 150Ap / 8.3ms. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 60V. Cj: 380pF. Material semicondutor: Sb. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Número de terminais: 2. Nota: RMS Rew--42V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Cj: 400pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: SR5100. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Corrente direta (AV): 5A. Corrente direta (RMS): 120Ap / 8.3ms. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Material semicondutor: Sb. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Número de terminais: 2

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: SR5200. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. Cj: 100pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): SMA. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.55V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34B. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-123. VRRM: 40V. Habitação (conforme ficha técnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Cj: 152pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 60mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: 34L. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código SMD 34L. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 10mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 20mA. RM (min): 200uA. Marcação na caixa: SS54. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.6V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente direta (AV): 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-123. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.5A. Ism [A]: 5.5A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 50uA..4mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMA. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AC. Corrente direta [A]: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Ism [A]: 75A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 6mA...15mA

Corrente direta (AV): 10A/diode. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.65V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. Número de terminais: 3. Nota: Diodo retificador Schottky. Unidade de condicionamento: 50. Nota: diodo duplo de silício. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms)

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. RM (máx.): 2mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.56V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: IFSM--250Ap. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: tensão de isolamento 2000VDC, capacitância 45pF

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. RM (máx.): 6mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.56V. Número de terminais: 3. Nota: Diodo retificador Schottky. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS