Diodos padrão e retificadores

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34B. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Cj: 152pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (máx.): 60mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: 34L. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-123. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código SMD 34L. Habitação (conforme ficha técnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (máx.): 10mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Número de terminais: 2. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V

Dobro: Dobro. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOD-123. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.5A. Ism [A]: 5.5A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 50uA..4mA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A

RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador Schottky, montagem SMD. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMA. Carcaça (padrão JEDEC): DO-214AC. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 1A. Ism [A]: 75A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão direta Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 6mA...15mA

Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Dobro: Dobro. Corrente direta (AV): 10A/diode. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão limite Vf (máx.): 0.65V. Tensão direta Vf (min): 0.72V. VRRM: 45V. Número de terminais: 3. Nota: Diodo retificador Schottky. Unidade de condicionamento: 50. Nota: diodo duplo de silício. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms)

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 250A. RM (máx.): 2mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: IFSM--250Ap. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: tensão de isolamento 2000VDC, capacitância 45pF

Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 250A. RM (máx.): 6mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.67V. Tensão direta Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Número de terminais: 3. Nota: Diodo retificador Schottky. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Material semicondutor: Sb. Função: Energia de alta tensão Schottky . Corrente direta (AV): 2A. Corrente direta (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. RM (máx.): 5mA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. Tensão limite Vf (máx.): 0.92V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. VRRM: 100V. Número de terminais: 2

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: diodo retificador Schottky de potência, queda de baixa tensão. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 75A. RM (máx.): 80mA. RM (min): 220uA. Marcação na caixa: GD4. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). Tensão limite Vf (máx.): 0.39V. Tensão direta Vf (min): 0.25V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 220A. RM (máx.): 11mA. RM (min): 200uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 250A. RM (máx.): 6mA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. VRRM: 100V. Número de terminais: 3. Nota: Diodo retificador Schottky. Tensão direta Vf (min): 0.64V. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Material semicondutor: Sb. Função: Energia de alta tensão Schottky . Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 75A. RM (máx.): 4.5mA. RM (min): 3.5uA. Marcação na caixa: S5H100. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252A ( Dpak ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.57V. VRRM: 100V. Spec info: 75App/10ms

Material semicondutor: Sb. Função: Retificador Schottky de potência. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. RM (máx.): 0.75mA. RM (min): 0.2mA. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Número de terminais: 2. Spec info: 150App / 10ms

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 270A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.97V. VRRM: 170V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo retificador Schottky. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 8A. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Nota: Energia de alta tensão Schottky . Nota: 250App/10ms

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 110A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra-fast diode. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 55A. RM (máx.): 0.75mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT TO-220AC. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 45A. RM (máx.): 0.3mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão limite Vf (máx.): 2.2V. Tensão direta Vf (min): 1.35V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--45Ap. Função: Diodo ultrarrápido, alta tensão

RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast recovery - high voltage diode. Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 80A. Marcação na caixa: STTH1210D. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 2x100A. IFSM: 100A. RM (máx.): 2mA. RM (min): 200uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. VRRM: 300V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Função: Diodo retificador duplo de alta tensão ultrarrápido

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (máx.): 300uA. RM (min): 30uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms