Diodos padrão e retificadores

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (máx.): 300uA. RM (min): 30uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (máx.): 300uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data de produção: 201506. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 40A. RM (máx.): 12uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Nota: Isolamento 2500V. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Carcaça: DO-247. Habitação (conforme ficha técnica): DO-247. Nota: diodo de alta tensão, recuperação ultrarrápida

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap

RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 22 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 330A. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: +175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcação na caixa: STTH802. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FPAC. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (min 17ns, max 30ns). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Condicionamento: rolo. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Condicionamento: rolo. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Material semicondutor: Sb. Corrente direta (AV): 0.15A. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80. VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Nota: IFSM 0.75App/10ms

RoHS: sim. Carcaça: SMD 0805. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Corrente direta (AV): 150mA. IFSM: 500mA. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky com baixa tensão direta, Montagem em superfície (SMD). Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (máx.): 1mA. Marcação na caixa: W3U45. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.47V. Tensão direta Vf (min): 0.33V. VRRM: 45V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky com baixa tensão direta, Montagem em superfície (SMD). Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (máx.): 1mA. Marcação na caixa: W3U60. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.58V. Tensão direta Vf (min): 0.39V. VRRM: 60V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 0.6A. VRRM: 600V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 3A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Cj: 50pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast switching. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminais: 2. Nota: GI-S. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A