Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 2A. Corrente direta (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Função: Energia de alta tensão Schottky . RM (máx.): 5mA. RM (min): 1uA. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.92V. Tensão direta Vf (min): 0.65V. Número de terminais: 2

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 75A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: diodo retificador Schottky de potência, queda de baixa tensão. RM (máx.): 80mA. RM (min): 220uA. Marcação na caixa: GD4. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 0.39V. Tensão direta Vf (min): 0.25V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 220A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky duplo. RM (máx.): 11mA. RM (min): 200uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.84V. Tensão direta Vf (min): 0.5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 250A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. RM (máx.): 6mA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.74V. Número de terminais: 3. Nota: Diodo retificador Schottky. Tensão direta Vf (min): 0.64V. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 75A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Função: Energia de alta tensão Schottky . RM (máx.): 4.5mA. RM (min): 3.5uA. Marcação na caixa: S5H100. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.57V. Spec info: 75App/10ms

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 40V. Material semicondutor: Sb. Função: Retificador Schottky de potência. RM (máx.): 0.75mA. RM (min): 0.2mA. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.38V. Número de terminais: 2. Spec info: 150App / 10ms

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 270A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 170V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: silício. Função: Retificador Schottky de energia de alta tensão. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.97V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo retificador Schottky. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Energia de alta tensão Schottky . Nota: 250App/10ms

Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 55A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra-fast diode. RM (máx.): 0.75mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.75V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 45A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 0.3mA. RM (min): 100uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 2.2V. Tensão direta Vf (min): 1.35V. Spec info: IFSM--45Ap. Função: Diodo ultrarrápido, alta tensão

Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 80A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marcação na caixa: STTH1210D. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Corrente direta (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP. VRRM: 300V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 10. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 2mA. RM (min): 200uA. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: parafuso. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Função: Diodo retificador duplo de alta tensão ultrarrápido

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (máx.): 300uA. RM (min): 30uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (máx.): 300uA. RM (min): 30uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (máx.): 300uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data de produção: 201506. RM (máx.): 12uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Carcaça: DO-247. Habitação (conforme ficha técnica): DO-247. Nota: Isolamento 2500V. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Nota: diodo de alta tensão, recuperação ultrarrápida

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap

Carcaça: TO-247. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 330A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. VRRM: 200V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 22 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: +175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: STTH802. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (min 17ns, max 30ns). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Condicionamento: rolo. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Condicionamento: rolo. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.25V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap