Diodos padrão e retificadores

Carcaça: SOD123. VRRM: 40V. Corrente Média Retificada por Diodo: 3A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.50V / 3A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 200uA / 40V. Série: SKL

Corrente direta (AV): 165A. IFSM: 2500A. Carcaça: DO-205. Habitação (conforme ficha técnica): DO-205. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao ânodo. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Função: retificador de potência para todos os fins. Nota: Rosca M12, ilhó de 8,2 mm. Número de terminais: 1. Spec info: Ânodo de carcaça rosqueada, (alta corrente). Montagem/instalação: Fixação roscada. Temperatura operacional: -40...+180°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.5V

Carcaça: SOD-123FL. VRRM: 1000V. Corrente Média Retificada por Diodo: 1A. Tipo de diodo: diodo retificador. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.1V / 1A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: <50uA / 1000V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 1500ns. Série: SL1

Carcaça: DO-213AB (MELF). VRRM: 2000V. Corrente Média Retificada por Diodo: 1A. Tipo de diodo: diodo retificador. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.1V / 1A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: <50uA / 2000V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 1500ns. Série: SM40

Carcaça: DO213AB (MELF). VRRM: 40V. Corrente Média Retificada por Diodo: 5A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.50V / 5A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 90uA / 40V. Informação: 3rd Gen. Série: SMS

Carcaça: DO213AB (MELF). VRRM: 60V. Corrente Média Retificada por Diodo: 5A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 80uA / 60V. Informação: 3rd Gen. Série: SMS

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Material semicondutor: Sb. Nota: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Material semicondutor: Sb. Nota: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 200A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--200Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 2A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Material semicondutor: Sb. Nota: Vf 0.70V. Nota: 50App/8.3ms. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 2A. Corrente direta (RMS): 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Material semicondutor: Sb. RM (máx.): 10mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 2. Diodo Schottky?: escocês. Spec info: 50App / 8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.70V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 10mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 5mA. RM (min): 0.5mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V. Tensão direta Vf (min): 0.7V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 2mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.85V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): ns. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 2mA. RM (min): 0.1mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

Corrente direta (AV): 5A. Corrente direta (RMS): 150Ap / 8.3ms. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 60V. Cj: 380pF. Material semicondutor: Sb. Nota: RMS Rew--42V. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.7V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Cj: 400pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: SR5100. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.85V

Corrente direta (AV): 5A. Corrente direta (RMS): 120Ap / 8.3ms. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Material semicondutor: Sb. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.55V

Corrente direta (AV): 5A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Diodo retificador Schottky. Marcação na caixa: SR5200. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 150Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 0.95V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (máx.): 20mA. RM (min): 1mA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.6V. Tensão direta Vf (min): 0.55V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34B. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. RM (máx.): 20mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.5V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 80A. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Cj: 152pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. Nota: serigrafia/código SMD 34L. RM (máx.): 60mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: 34L. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.85V. Tensão direta Vf (min): 0.5V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 100A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador de barreira Schottky, montagem em superfície. RM (máx.): 10mA. RM (min): 500uA. Marcação na caixa: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.75V. Tensão direta Vf (min): 0.75V