Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 110A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (máx.): 300uA. RM (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.85V

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data de produção: 201506. RM (máx.): 12uA. RM (min): 2uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1V

Carcaça: DO-247. Habitação (conforme ficha técnica): DO-247. Nota: Isolamento 2500V. Nota: diodo de alta tensão, recuperação ultrarrápida. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. VRRM: 300V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.9V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 300A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador de alta tensão ultrarrápido. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: IFSM--300Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.85V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 330A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. VRRM: 200V. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Diodo Trr (mín.): 22 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo ultrarrápido de alta eficiência. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.75V

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (min 17ns, max 30ns). Marcação na caixa: STTH802. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 100Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.8V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--27Ap. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--27Ap. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.25V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--27Ap. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V

VRRM: 30V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1V / 0.2A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 500nA / 25V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 5ns. Série: BAT

VRRM: 40V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.35A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.75V / 0.2A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 25uA / 40V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 10ns. Série: BAT

VRRM: 100V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.15A. Tipo de diodo: escocês. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <0.45V / 0.01A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 5uA / 75V. Série: BAT

Carcaça: SMD 0603. VRRM: 75V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.1A. Tipo de diodo: Switching. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.0V / 0.01A. Tipo de montagem: SMD. Tempo de recuperação reversa (máx.): 4ns. Série: TS4148

Carcaça: SMD 1206. VRRM: 75V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.15A. Tipo de diodo: Switching. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.0V / 0.1A. Tipo de montagem: SMD. Corrente de fuga reversa: 25nA / 20V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 4ns. Série: TS4148

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 063. Corrente direta [A]: 0.1A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Ism [A]: 2A. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 75V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: SMD 0805. Corrente direta (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: sim. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky com baixa tensão direta, Montagem em superfície (SMD). RM (máx.): 1mA. Marcação na caixa: W3U45. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.47V. Tensão direta Vf (min): 0.33V

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky com baixa tensão direta, Montagem em superfície (SMD). RM (máx.): 1mA. Marcação na caixa: W3U60. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.58V. Tensão direta Vf (min): 0.39V

Corrente direta (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Nota: GI-S. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast switching. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V