Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Corrente direta (AV): 0.15A. Carcaça: 12.7k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-80. VRRM: 100V. Material semicondutor: Sb. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: IFSM 0.75App/10ms

Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 063. Corrente direta [A]: 0.1A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Ism [A]: 2A. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 75V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: SMD 0805. Corrente direta (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: sim. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky com baixa tensão direta, Montagem em superfície (SMD). RM (máx.): 1mA. Marcação na caixa: W3U45. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.47V. Tensão direta Vf (min): 0.33V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 50A. Carcaça: SOD-123. Habitação (conforme ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky com baixa tensão direta, Montagem em superfície (SMD). RM (máx.): 1mA. Marcação na caixa: W3U60. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.58V. Tensão direta Vf (min): 0.39V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Corrente direta (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 3A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultra fast switching. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 600V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Nota: GI-S

Corrente direta (AV): 1A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Ism [A]: 33A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminais: 2. Nota: GI-S. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1.7V @ 1A

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 80A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tr: 15 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalentes: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 265A. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. RM (máx.): 12mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: Fixação roscada. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.77V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 600A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 2mA. RM (min): 50uA. Equivalentes: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. Spec info: pinagem 60EPUxx 1

Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 850A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Função: Diodo retificador Schottky. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão direta Vf (min): 0.72V

Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 165A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky de dupla potência. RM (máx.): 30mA. RM (min): 50uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.71V. Tensão direta Vf (min): 0.48V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semicondutor: silício. Nota: plástico . Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms