Diodos padrão e retificadores

Cj: 50pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 150A. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.4V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. VRRM: 500V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Cj: 35pF. Material semicondutor: silício. Função: diodo retificador ultra rápido. Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 80A. RM (máx.): 200uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Tr: 15 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Equivalentes: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): SMA (4.6x2.8 mm). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Estrutura dielétrica: invólucro conectado ao cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Capacidade de corrente de pico alto. Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 265A. RM (máx.): 12mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: Fixação roscada. Carcaça: DO-203AB ( DO-5 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-203AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.88V. Tensão direta Vf (min): 0.77V. VRRM: 1200V. Quantidade por caixa: 1. Número de terminais: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Cj: 50pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 600A. RM (máx.): 2mA. RM (min): 50uA. Equivalentes: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC 3L. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.05V. Tensão direta Vf (min): 0.87V. Spec info: pinagem 60EPUxx 1

Função: Diodo retificador Schottky. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 850A. RoHS: sim. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-2 (TO-220AC). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão direta Vf (min): 0.72V. VRRM: 100V

Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky de dupla potência. Corrente direta (AV): 20A. IFSM: 165A. RM (máx.): 30mA. RM (min): 50uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-3P. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.71V. Tensão direta Vf (min): 0.48V. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 5A. VRRM: 200V. Nota: plástico . Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms